Vishay Siliconix公司的Si8817DB P-Channel MOSFET可用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和移动计算设备的电源管理应用中的电池或负载切换。MOSFET紧凑的外形节省了PCB空间，并提供了超薄的外形，使更薄、更轻的便携式电子产品成为可能，同时它们的低导通电阻转化为更低的传导损失，以减少功耗和更长的电池寿命之间的充电。该设备的低导通电阻也意味着负载开关上的电压降更低，以防止不必要的欠压锁定。

mosfet是建立在超高密度技术的基础上，它使用自对准工艺技术将十亿个晶体管单元封装到每平方英寸的硅中。当与MICRO FOOT的无封装CSP技术相结合时，这将为给定的轮廓区域提供最低的导通电阻。

- 20v p通道Si8817DB是buck变换器应用的优化。4.5 V栅极驱动下的最大导通电阻为76 毫欧，0.8 mm×0.8 mm×0.4 mm的小型导通电阻将用于空间比导通电阻更为关键的应用场合。