Vishay公司的-30 V和-40 V汽车级p沟道沟槽功率mosfet在PowerPAK SO-8L封装中采用gullwing引线，是为提高板级可靠性而设计的。与DPAK器件相比，AEC-Q101合格的SQJ407EP和SQJ409EP可减少50%以上的安装面积，节省PCB空间和更低的成本，同时提供更低的导通电阻，低于任何具有5 mm×6 mm凹槽引线的MOSFET。作为p通道mosfet，这些器件可以制造理想的负载开关，不需要电荷泵来提供n通道对应器件所需的正栅偏置。Gullwing引线在温度循环、板弯曲、振动和跌落事故期间提供机械应力缓解。与严格的QFN封装相比，SQJ407EP和SQJ409EP都提供了出色的板级可靠性，并促进了自动光学检测(AOI)过程中更一致和可靠的结果。应用包括反极性电池保护和高侧开关电机驱动器和12v汽车系统的主电源。