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第三代功率MOSFET

来源:HQBUY 发布时间:2021-03-08

摘要: Vishay's SiR626DP-T1-RE3 60 V n通道MOSFET提供一流的RDS(ON) - Qg merit (FOM)



Vishay公司的SiR626DP-T1-RE3 TrenchFET第四代功率MOSFET具有行业低导通电阻和低总门电荷。采用PowerPAK SO-8封装,优化了互连设计,降低了66%的封装电阻。


特性
  • 第四代功率场效应管
  • FOM的R(DS) - Q(g)非常低
  • 调至最低R(DS) - Q(OSS) FOM

SPICE设备型号SiR626DP
SiR626DP R-C热模型

应用程序
  • 同步整流
  • 一次侧开关
  • 直流/直流转换器
  • 太阳能微型逆变器
  • 马达驱动开关
  • 电池和负载开关
  • 工业
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