摘要: Vishay's SiR626DP-T1-RE3 60 V n通道MOSFET提供一流的RDS(ON) - Qg merit (FOM)
Vishay公司的SiR626DP-T1-RE3 TrenchFET第四代功率MOSFET具有行业低导通电阻和低总门电荷。采用PowerPAK SO-8封装,优化了互连设计,降低了66%的封装电阻。
SPICE设备型号SiR626DP
SiR626DP R-C热模型
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