Vishay Siliconix公司的SISF20DN-T1-GE3是一种60 V共漏双n通道MOSFET，采用PowerPAK 1212-8SCD封装，结构紧凑，热增强。Vishay Siliconix SiSF20DN旨在提高电池管理系统、插电式和无线充电器、DC/DC转换器和电源的功率密度和效率，在60 V共漏器件中提供业界最低的R(S-S(ON))。

双MOSFET的R(S-S(ON))低至10 毫欧，典型的10 V，目前最低的60 V器件在3 mm×3 mm的足迹。这一数值也比次优解决方案的占地面积提高了42.5%，比Vishay的上一代设备低89%。其结果是降低了电源路径上的电压降，并将功率损耗降至最低，从而提高了效率。对于更高的功率密度，SiSF20DN的R(S1S2(ON))倍面积比次之的最佳替代MOSFET低46.6%，即使包括较大的6毫米x 5毫米的解决方案。

为了节省PCB空间，减少元件数量，并简化设计，该器件采用优化的封装结构，在公共漏极配置中使用两个单片集成TrenchFET Gen IV n沟道mosfet。与传统的双封装类型相比，SiSF20DN的源触点并排放置，增加了与PCB的接触面积，并进一步降低了电阻率。这种设计使MOSFET成为24 V系统和工业应用的理想双向开关，包括工厂自动化，电动工具，无人机，电机驱动器，白色家电，机器人，安全/监视和烟雾报警器。SiSF20DN是100% R(g)和UIS测试，符合RoHS，和无卤素。