具有双面冷却的中压沟槽效应晶体管功率场效应管

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-15

摘要： Vishay Siliconix的功率mosfet具有优良的动态参数，可优化开关特性

Vishay Siliconix的中压TrenchFET功率mosfet实现了最高的效率，增加功率密度，并减少组件数量。它们是能够实现布局优化的紧凑而高效的设备。这些mosfet具有优化开关特性的优良动态参数。TrenchFET功率mosfet采用双冷却(双侧冷却功能)PowerPAK SO-8封装，典型高度为0.56 mm，使它们紧凑而低轮廓，比D(2)PAK减少80%的占地面积。足迹是与PowerPAK SO-8兼容。

特性

下一代技术提供非常低的导通电阻和超低值(FOM)
Q(gd)/Q(gs)比<1提高了C*dv/dt门耦合的抗扰度
极低的Q(gd)米勒电荷减少了通过平台电压充电的功率损失
- 减少开关相关的功率损耗和铣削时间
选择性产品具有逻辑级和标准门驱动能力
- 能否通过降低栅极驱动来降低损耗
- 允许使用低电压，低成本的5v PWM ic
- 低FOM有助于减少开关损耗
广泛的封装种类，包括封装和热先进，节省空间的PowerPAK
封装中的器件最大结温度额定可达+175°C

应用程序

同步整流的
- AC / DC电源
  - 计算
  - 消费者
  - 服务器
  - 电信设备
- LLC拓扑
  - ATX服务器
  - LED电视电源
- 电信积木和pol
电机控制/三相h桥交流逆变器
- 太阳能生产l型逆变器a
- 电动汽车电池充电站
- 和ing功能
  - 冗余power体系结构
提高转换器

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