SiR638DP, n通道，40 V MOSFET

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-01

摘要： Vishay's SiR638DP, n通道，40v MOSFET特性高电流和低RDS(ON)

Vishay的SiR638DP提供了R(DS(ON))和输出电容(C(oss))的最佳组合，以减少系统功率损耗。它具有强大的PowerPAK SO-8包，额定直流电流为100 a。PowerPAK SO-8包利用了与标准SO-8包相同的占地面积和相同的引脚。这使得PowerPAK可以直接替代标准的SO-8包。作为一个无引线包，PowerPAK SO-8利用了整个SO-8占地面积，释放通常由引线占据的空间，因此允许它持有比标准SO-8包更大的模具。

特性
第四代功率场效应管 100% R(g)和ui测试		Q(gd)/Q(gs) <优化开关特性
应用程序
同步整流 o型环高功率密度DC/DC		V(RMS)和嵌入式DC/DC DC / AC逆变器负荷开关

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