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摘要： Vishay的p通道mosfet具有最低的导通电阻每区域，使最小的pcb
Vishay Siliconix p-channel TrenchFET GEN III和IV mosfet具有最低的p-channel mosfet面积导通电阻;跌至行业前最佳水平的一半。
Vishay p沟道沟槽场效应管具有各种封装尺寸和导通电阻额定值，适用于广泛的应用场合。此外，低导通电阻使低导通损失，节省电力和延长电池的使用，每次充电。
资源:简而言之，p沟道mosfet
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