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摘要： Cree的mosfet有3、4和7个引线，提供多种选择，247个封装
Wolfspeed先进的SiC MOSFET技术是在低电感离散封装中提供的。这些封装允许工程师充分利用最新的C3M平面MOSFET芯片的高频能力。设计人员可以通过从基于硅的三层拓扑结构转移到更简单的两层拓扑结构来减少组件数量，而改进的开关性能使之成为可能。这些器件具有低导通电阻和低栅极电荷相结合的特点，非常适合三相无桥PFC拓扑以及AC/AC转换器和充电器。
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