二极管宣布一系列肖特基二极管在极小的CSP和DFN封装。这些小封装促进了各种应用，如阻塞、电过应力和boost-strap二极管，在许多电池供电产品中，如物联网可穿戴设备、智能手机和虚拟/增强现实耳机。许多肖特基二极管CSP和DFN封装也符合AEC-Q101标准，并受到PPAP工艺的支持。

特性

• 极小的封装和健壮性
  • 这些超低外形和占地面积小的表面安装包装使采用末端系统的紧凑的形状因素。CSP包内的电源线的解放和PPAP的支持确保了长期的可靠性
• 低正向电压
  • 最大正向电压(VF)低至0.35 V，这些CSP/DFN封装肖特基二极管使极低的导通损耗得以实现。这导致较低的工作温度和良好的长期可靠性
• 低漏电流
  • 当系统处于待机模式时，低泄漏电流(IR)转化为低环境温度。在电池供电的系统中，待机时间显著延长
• 反向击穿电压和输出电流范围宽
  • 这些器件提供全面的反向击穿电压(VBR_MIN = 20 V到70 V)和输出电流(IO_MAX = 70 mA到2a)，满足了许多苛刻要求的应用的期望