二极管公司通过ZXGD3112N7扩展了其专用有源或有源MOSFET控制器家族，ZXGD3112N7设计用于电信、数据中心和服务器任务中高达400v的冗余电源架构。ZXGD3112N7设计用于充分增强极低R(DS(ON))功率场效应管。这样就可以更换肖特基阻塞二极管，从而降低工作温度，增加系统完整性。通过驱动mosfet作为“理想二极管”，控制器提高了高压电力系统的整体系统效率。

特性

• 轻负荷稳定
  • 典型的-3 mV(±2 mV公差)关断阈值使mosfet能够控制非常低的R(DS(on))，同时在轻负载条件下保持稳定性
• 快让我倒尽胃口
  • 电流下沉能力允许快速栅极放电并联或'ing mosfet，避免在故障条件下反向电流流动
• 提高可靠性和效率
  • 效率的提高简化了热设计，降低了散热尺寸和成本。降低了运行温度，提高了电力系统的整体可靠性

应用程序

• 目标应用是在(N+1)冗余电源架构或400v以下的功率轨道中配置整流器:
  • 电信
  • 数据中心
  • 服务器