摘要: Nexperia公司在LFPAK56/56E包装中的超结mosfet可减少RDS(ON)高达30%
Nexperia系列沟道功率mosfet主要针对汽车行业,结合了该公司的低压超结技术和先进的封装能力,提供高性能和耐用性。Nexperia正在扩大其汽车合格的功率- so8 mosfet产品组合,包括超低R(DS(on))部件,以解决许多典型汽车应用对更高功率密度不断增长的需求。沟槽9器件都符合AEC-Q101标准,在关键可靠性测试(包括温度循环、高温栅偏置、高温反向偏置和间歇工作寿命)上超过本国际汽车标准的要求多达两倍。
FPAK56E是Nexperia汽车LFPAK封装家族的最新创新产品。LFPAK56E是流行的LFPAK56封装的一个增强版本,具有优化的引线框架和封装设计,结果在R(DS(ON))和功率密度高达30%的改进。这种功率密度的改进使Trench 9 LFPAK56 mosfet能够用于以前只有D(2)PAK和D(2)PAK-7 mosfet的应用中,显著节省PCB空间。
与其他技术相比,Nexperia的超结技术提供了更好的雪崩和安全工作区域(SOA)能力,确保关键设备即使在故障条件下也能生存。传统上,大多数供应商不会推荐TrenchMOS技术用于单发或重复雪崩应用。Trench 9是专门为苛刻的应用和故障条件提供卓越的单次发射和重复雪崩性能而设计的,Nexperia的Trench 9 MOSFET数据表包括单次发射和重复雪崩评级。
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