可用于无铅超小DFN1006BD-2贴片封装，侧面可湿。

Nexperia的NextPower mosfet在功率开关应用中具有高效率

Nexperia LFPAK88 Trench 9 汽车MOSFET通过以创新的8mm x 8mm占板面积提供业界领先的功率密度，从而替代了D2PAK。这些MOSFET的连续电流额定值高2倍，具有出色的热性能和可靠性，并且空间效率高达60％。

Nexperia的TrEOS为USB3提供不妥协的ESD保护。x, HDMI 2。x和Universal Flash。Nexperia的TrEOS单线ESD保护提供了低电容、低夹紧电压和高ESD健壮性的组合，帮助保护10 Gbps+数据线系统。

Nexperia的TL431是精密分流稳压器的首选产品

Nexperia的74AHC1G42xx系列分频器具有多种输出功能，减少了占地面积

Nexperia的PMV50XP, 20 V, p沟道沟槽mosfet提供了增强的功率耗散能力为1096 mW

Nexperia宣布了一系列新的GaN FET器件，这些器件均采用TO-247和该公司专有的CCPAK表面贴装封装中的下一代高压GaN HEMT H2技术。器件采用共源共栅配置，可实现出色的开关FOM和通态性能，并具有更高的稳定性，并简化了应用程序设计，从而无需复杂的驱动器和控件。

Nexperia的LV-A和LV-AT标准逻辑家族在TSSOP包

Nexperia的肖特基整流器的平面和沟槽组合结合了高性能和节省空间的封装

Nexperia为单线和多线高速数据线提供TrEOS保护产品。Nexperia TrEOS保护系列的首个单线和多线器件在电容、夹紧电压和浪涌稳压器这三个关键参数上都具有基准性能。

Nexperia公司的20 V和30 V沟道mosfet具有增强的1200 mW功率耗散能力

Nexperia的晶体管适用于要求最高可靠性和空间昂贵的应用场合

Nexperia推出用于汽车应用的P-通道 MOSFET LFPAK56。半导体供应商 Nexperia以可靠，节省空间的LFPAK56产品组合推出了业界首个P-通道 MOSFET系列。以前，N通道设备仅采用LFPAK封装。但是，Nexperia现在根据需要扩展了选项，使其包括P通道功能。

Nexperia的先进的超低功耗(AUP)逻辑系列在一个小的占用空间内提供超低功耗