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Nexperia的抑制器可以满足5 V到26 V反向工作电压的单线保护需求
Nexperia的20 V, p沟道沟槽mosfet具有增强的功率耗散能力为890 mW
Nexperia的低功耗,双pcb可配置,多功能门提供了0.8 V到3.6 V的宽电源电压范围
Nexperia的超低电容双轨静电放电(ESD)保护装置
Nexperia的共模滤波器是高速数据通信中EMI和ESD问题的解决方案
Nexperia的SiGe整流器提供了一个非常安全的操作区域和低电磁干扰
Nexperia的双PCB可配置器件是一种多门、多功能逻辑器件,具有两个可配置门
Nexperia的高压双极晶体管适用于高达175°C的高温应用
Nexperia的肖特基整流器的平面和沟槽组合结合了高性能和节省空间的封装
Nexperia的晶体管适用于要求最高可靠性和空间昂贵的应用场合
Nexperia的先进的超低功耗(AUP)逻辑系列在一个小的占用空间内提供超低功耗
Nexperia公司的20 V和30 V沟道mosfet具有增强的1200 mW功率耗散能力
Nexperia推出用于汽车应用的P-通道 MOSFET LFPAK56。半导体供应商 Nexperia以可靠,节省空间的LFPAK56产品组合推出了业界首个P-通道 MOSFET系列。以前,N通道设备仅采用LFPAK封装。但是,Nexperia现在根据需要扩展了选项,使其包括P通道功能。
Nexperia为单线和多线高速数据线提供TrEOS保护产品。Nexperia TrEOS保护系列的首个单线和多线器件在电容、夹紧电压和浪涌稳压器这三个关键参数上都具有基准性能。
Nexperia的低VCE(sat) (BISS)晶体管由于产生的热量更少,提供了更高的能源效率
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