Nexperia为单线和多线高速数据线提供TrEOS保护产品。Nexperia TrEOS保护系列的首个单线和多线器件在电容、夹紧电压和浪涌稳压器这三个关键参数上都具有基准性能。

可用于无铅超小DFN1006BD-2贴片封装，侧面可湿。

Nexperia LFPAK88 Trench 9 汽车MOSFET通过以创新的8mm x 8mm占板面积提供业界领先的功率密度，从而替代了D2PAK。这些MOSFET的连续电流额定值高2倍，具有出色的热性能和可靠性，并且空间效率高达60％。

Nexperia的TL431是精密分流稳压器的首选产品

Nexperia宣布了一系列新的GaN FET器件，这些器件均采用TO-247和该公司专有的CCPAK表面贴装封装中的下一代高压GaN HEMT H2技术。器件采用共源共栅配置，可实现出色的开关FOM和通态性能，并具有更高的稳定性，并简化了应用程序设计，从而无需复杂的驱动器和控件。

Nexperia的LV-A和LV-AT标准逻辑家族在TSSOP包

Nexperia的TrEOS为USB3提供不妥协的ESD保护。x, HDMI 2。x和Universal Flash。Nexperia的TrEOS单线ESD保护提供了低电容、低夹紧电压和高ESD健壮性的组合，帮助保护10 Gbps+数据线系统。

Nexperia的74AHC1G42xx系列分频器具有多种输出功能，减少了占地面积

Nexperia的PMV50XP, 20 V, p沟道沟槽mosfet提供了增强的功率耗散能力为1096 mW

Nexperia的NextPower mosfet在功率开关应用中具有高效率

Nexperia的晶体管是电源管理和空间关键应用中的负载开关的完美选择

中国广东，2018年3月6日：Nexperia（安世半导体）今天宣布安世半导体（中国）有限公司着力扩建的广东新分立器件封装和测试工厂正式投产，全厂总面积达到 72，000 平方米，新增 16，000 平方米生产面积，年产量达到 900 亿件。

Nexperia的GaN fet提高了性能、效率和可靠性

车辆需要更多的半导体组件，而Nexperia的紧凑型封装标准带有可侧面和侧面接触的侧面，可用于小型和轻型汽车的二极管和晶体管，从而满足越来越多的电子功能。Nexperia经AEC-Q101认证的DFN（离散扁平无铅）无铅封装

Nexperia最小的解决方案低RDS(上)与理想RDSμCSP(上)空间比例为便携式应用程序