Nexperia宣布了一系列新的GaN FET器件，这些器件均采用TO-247和该公司专有的CCPAK表面贴装封装中的下一代高压GaN HEMT H2技术。器件采用共源共栅配置，可实现出色的开关FOM和通态性能，并具有更高的稳定性，并简化了应用程序设计，从而无需复杂的驱动器和控件。

新型GaN技术采用直通通孔，可减少缺陷并缩小芯片尺寸约24％。通过传统的TO-247的最初版本，R DS（on）也降低到仅41mΩ（最大，典型值为25 mC，35mΩ），具有高阈值电压和低二极管正向电压。对于CCPAK表面贴装型，该减小将进一步增加到39mΩ（在25°C，典型值，最大33mΩ）。因为这些部件被配置为共源共栅器件，所以使用标准的Si MOSFET驱动器也很容易驱动它们。两种版本均满足AEC-Q101对汽车应用的要求。

Nexperia GaN总经理Michael LeGoff说：“低压MOSFET是我们赖以生存的工作。” “通过共源共栅配置，我们可以获得更好的阻断电压和更少的通过器件的泄漏电流。”

GaN FET器件的新系列

Nexperia氮化镓战略市场总监Dilder Chowdhury表示：“客户需要高效，经济高效的解决方案，以实现650 V和大约30-40mΩR DS（on）的高功率转换，其中的应用包括车载充电器，电动汽车中的DC / DC转换器和牵引逆变器以及1.5-5 kW范围的工业电源，用于钛级机架式电信，5G和数据中心。Nexperia将继续投资使用下一代GaN工艺开发和扩展其产品范围，首先为功率模块制造商发布传统的TO-247版本和裸芯片格式，然后是我们的高性能表面贴装CCPAK封装。”

Nexperia的CCPAK表面贴装封装采用了Nexperia业已证明的创新铜夹封装技术来代替内部键合线。这样可以减少寄生损耗，优化电气和热性能，并提高可靠性。CCPAK GaN FET提供顶部或底部冷却配置，使其用途广泛，并有助于进一步改善散热。