英飞凌科技通过另一种电压等级补充其CoolSiC MOSFET产品。今年早些时候，该产品组合已增加了650V的电压，现在该公司利用其专有的沟槽半导体技术推出1700V的电压等级。最大化碳化硅（SiC）的强大物理特性，这确保了新型1700V表面贴装器件（SMD）具有可靠性以及低开关和传导损耗。所述CoolSiC 1700V的MOSFET在三相变换系统，例如马达驱动器，可再生能源，充电设施和HVDC系统靶向辅助电源。

这样的低功率应用通常在100 W以下工作。在这种情况下，设计人员通常更喜欢单端反激拓扑。借助采用SMD封装的新型CoolSiC MOSFET 1700V，现在甚至可以为高达1000VDC输入电压的直流链路连接的辅助电路启用该拓扑。现在，可以在三相功率转换系统中实现使用单端反激式转换器的高效，高可靠性的辅助转换器。这导致最小的占位面积并减少了材料清单。

1700V的阻断电压消除了设计人员对过压裕度和电源可靠性的担忧。CoolSiC沟槽技术具有此电压等级的晶体管最低的器件电容和栅极电荷。与最新的1500V硅MOSFET相比，结果是功耗降低了50％以上，效率提高了2.5％。与其他1700 SiC MOSFET相比，效率高0.6％。低损耗使紧凑的SMD组件具有自然对流冷却而无需散热器。

新型1700V CoolSiC沟槽MOSFET针对+ 12V / 0V栅源电压与通用PWM控制器兼容的反激式拓扑进行了优化。因此，它们不需要栅极驱动器IC，并且可以由反激控制器直接操作。导通电阻额定值为450mΩ，650mΩ或1000mΩ。全新的7引线D2PAKSMD封装提供了超过7毫米的爬电距离和电气间隙。这样，它可以满足通常的1700V应用要求和PCB规格，从而最大限度地减少了设计的隔离工作。