Diodes Incorporated宣布推出新一代分立MOSFET的首款产品。所述DMN3012LEG提供更高的效率在更小的封装内提供显著成本，功率和空间的节省在各种各样的功率转换和控制应用。

DMN3012LEG在尺寸仅为3.3mm x 3.3mm的单个封装中集成了双MOSFET，与典型的两芯片解决方案相比，可将电路板空间需求减少多达50％。这种节省空间的优点是使用负载点（PoL）和电源管理模块的一系列应用程序。DMN3012LEG可用于DC-DC同步降压转换器和半桥电源拓扑中，以减小电源转换器解决方案的尺寸。

PowerDI 3333-8 D型封装的3D结构有助于提高整体电源效率，而高额定电压和额定电流使其得到广泛应用。完全接地的焊盘设计具有良好的散热性能，从而使整体解决方案能够在较低温度下运行。所用工艺的高开关速度和效率也使对大型电感器和电容器的需求降至最低。

所述DMN3012LEG集成了两个N沟道增强型MOSFET，使其非常适用于同步降压转换器的设计。使用横向扩散MOS（LDMOS）工艺，它结合了Q1的5.1nS和6.4nS以及Q2的4.4nS和12.4ns的快速开启和关闭延迟速度。该器件的最大导通电阻（RDS（ON））值在Q1的Vgs = 5V时仅为12mΩ，在Q2的Vgs = 5V时仅为6mΩ。DMN3012LEG可以接受10V栅极-源极的30V漏极-源极电压，同时支持5V栅极驱动。