英飞凌科技公司（Infineon Technologies）在其StrongIRFET 40-60 V MOSFET产品系列中以D2PAK7pin +封装增加了三款新器件。这些新组件具有极低的R DS（on）和高载流能力，从而为要求高效率的高功率密度应用提高了鲁棒性和可靠性。这三个新的MOSFET TARG 等电池供电的应用，包括电池供电的工具，电池管理系统，以及低电压驱动。

新的D2PAK7pin +封装扩展了已经强大的StrongIRFET封装。这种扩展进一步增强了针对许多设计挑战选择功率器件的选择。此外，新封装的可互换引脚排列选项具有设计灵活性。与标准D2PAK7pin封装相比，与上一代器件相比，新系列的R DS（on）降低了13％，载流能力提高了50％。例如，基准IRL40SC240是40V器件，R DS（on）为0.65mΩ，载流能力为360A。

该封装经过优化，可容纳面积增加多达20％的管芯，同时共享与标准D2PAK7引脚相同的封装和引脚。因此，它可以轻松替代传统的D2PAK7pin和H2PAK封装。此外，该产品系列同时提供普通和逻辑级栅极驱动器，为设计人员提供了灵活的驱动方案。