罗姆半导体宣布第四代用于汽车动力系统，包括主驱动逆变器，以及用于工业设备的电源优化代1200V的SiC的MOSFET。

近年来，下一代电动汽车（xEV）的普及加速了更小，更轻，更高效的电气系统的发展。特别是，提高效率同时减小在驱动系统中起核心作用的主逆变器的尺寸仍然是最重要的挑战，需要功率器件的进一步发展。

车载电池的容量正在增加，以改善电动汽车的续航里程。与此相伴，高压电池（800V）的使用正在不断发展，以满足更短的充电时间的需求。

为了解决这些挑战，设计人员迫切需要能够提供高耐压且损耗低的SiC功率器件。ROHM是SiC的先驱，于2010年在业界领先之前开始批量生产SiC MOSFET。从一开始，ROHM便加强了其强大的产品阵容，包括符合AEC-Q101要求的产品，从而使该公司在汽车车载充电器上拥有很大的市场份额（ OBC）。

对于功率半导体，通常在较低的导通电阻和短路耐受时间之间需要权衡取舍，这需要取得平衡，以实现SiC MOSFET的较低功率损耗。与传统产品相比，罗姆能够成功地改善这种折衷关系，并将每单位面积的导通电阻降低40％，而不会通过进一步改进原始的双沟槽结构而牺牲短路耐受时间。此外，大幅降低寄生电容（这是开关过程中的问题），与上一代SiC MOSFET相比，可以将开关损耗降低50％。

其结果是，ROHM的新4 日  生成的SiC MOSFET是能够递送低ON具有高速开关性能，耐在各种应用，包括汽车牵引逆变器有助于更大的小型化和更低的功耗和开关电源的。裸芯片样品已于2020年6月开始提供，将来将提供分立封装。

罗姆致力于继续扩大其SiC功率器件产品线，同时将模块化技术与外围器件相结合，例如旨在最大化性能的控制IC，以促进下一代车辆的技术创新。同时，ROHM将提供解决客户问题的解决方案-包括基于Web的仿真工具，这些工具可减少应用程序开发工时并帮助防止评估问题。