Solid State Devices，Inc.（SSDI）已通过新的SFC85N90系列扩展了其密封SiC MOSFET产品。SFC85N90是增强型N沟道SiC MOSFET。这些快速开关器件提供非常低的RDS（on），典型值仅为13mΩ，最大值为17mΩ（@ 50 A，25°C）。这些耐辐射的SiC MOSFET可以轻松替代传统的硅MOSFET，从而立即提高性能和效率。SFC85N90提供900伏的漏极-源极电压，因此它可以用作各种硅MOSFET（甚至低至100伏）的增强型直接替代产品。

SFC85N90系列提供三种高可靠性，表面贴装封装：SMD1，SMD1L和SMD2。SMD1L带状引线选件降低了振动应力和焊料疲劳的风险。SSDI还提供基于MIL-PRF-19500的TX，TXV和S级筛选。这些坚固的设备非常适合航空航天和国防应用，例如高压DC-DC转换器，PFC升压转换器，开关模式电源，电机驱动器等。