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Nexperia PMV50XP, 20 V, p通道沟道MOSFET

来源：HQBUY 发布时间：2021-02-04

摘要： Nexperia的PMV50XP, 20 V, p沟道沟槽mosfet提供了增强的功率耗散能力为1096 mW

Nexperia提供他们的p通道，增强模式场效应晶体管(FET)在一个小型SOT23 (TO-236AB)，表面安装的器件(SMD)，塑料封装使用沟槽MOSFET技术。

好处

低阈值电压
增强了1096mw的耗电能力

低开态电阻
沟MOSFET技术

应用程序

继电器驱动程序
高速铁路司机

高端负荷开关
开关电路

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