Nexperia的60 V, n沟道沟槽mosfet具有2 kV HBM静电放电(ESD)保护

中国广东，2018年3月6日：Nexperia（安世半导体）今天宣布安世半导体（中国）有限公司着力扩建的广东新分立器件封装和测试工厂正式投产，全厂总面积达到 72，000 平方米，新增 16，000 平方米生产面积，年产量达到 900 亿件。

车辆需要更多的半导体组件，而Nexperia的紧凑型封装标准带有可侧面和侧面接触的侧面，可用于小型和轻型汽车的二极管和晶体管，从而满足越来越多的电子功能。Nexperia经AEC-Q101认证的DFN（离散扁平无铅）无铅封装

Nexperia的逻辑缓冲器和逆变器在一个小型无铅逻辑包中提供

Nexperia的55 V, n沟道沟槽mosfet具有静电放电(ESD)保护超过3 kV HBM

Nexperia最小的解决方案低RDS(上)与理想RDSμCSP(上)空间比例为便携式应用程序

Nexperia的LFPAK88 mosfet可提供紧凑的8毫米x 8毫米的足迹

Nexperia的NPIC6C系列LED驱动程序减小了尺寸，降低了BOM

Nexperia LFPAK提供较低的门电荷(Qg)和较低的门电阻(Rg)

n沟道80 V, 3.3欧姆标准水平从Nexperia MOSFET - 220或我2PAK

Nexperia的mosfet是电源环，电机控制，DC-DC转换器，PC银盒电源和其他苛刻的工业应用的理想选择

LFPAK33为Power33 (3.3 mm x 3.3 mm)的足迹带来了Nexperia稳健可靠的铜夹技术

Nexperia的电源管理和负载开关节省空间的设备

Nexperia提供他们的NextPowerS3, n通道，低压，大电流，快速开关逻辑级mosfet

Nexperia的LED驱动器有铅包和无铅包