Nexperia的PSMN系列n沟道mosfet已经扩展到包括30 V, 40 V和80 V沟道6硅器件在TO220封装。新系列在各种各样的应用中提供性能改进。

Trench 6硅技术为Nexperia提供了最低的R(DS(ON))性能，TO220封装具有1.4 毫欧典型的V(GS) =10 V(PSMN1R6-30PL)。这些部件是电源环，电机控制，DC-DC转换器，PC银盒电源和其他苛刻的工业应用的理想选择。

Trench 6还提供较低的门电荷(Q(G))和较低的门电阻(R(G))，使这些器件适合于高效率的电源管理应用和更高的开关频率。

TO220封装在一个通孔封装中提供紧凑的功率。当安装到散热器上时，它具有优越的热阻。