Nexperia提供无损耗包装(LFPAK)沟道mosfet 6。通过将Trench 6硅与高性能LFPAK封装相结合，这些新器件为客户提供了众多的性能和可靠性优势。

Trench 6硅技术提供Nexperia最低的R(DS(ON))性能，在V(GS) = 10 V(PSMN1R2-25YL)典型时，其R(DS(ON))欧姆为0.9 m。这些最新的设备适用于各种要求苛刻的应用，包括动力环，电机控制和高效同步buck调节器。

壕沟6还提供了较低的门电荷(Q(G))和较低的门阻力(R(G))。这使得该设备适合于开关频率高达1mhz的高效率电源管理应用。

Nexperia的LFPAK提供了一个表面贴装包的紧凑的功率。它提供优越的电阻和热电阻以及低封装电感，同时保持广泛接受的SO8 PCB足迹。

特性

• 25 V MOSFET在Power-SO8足迹小于1 毫欧R (DS(上))
• R(DS(ON)) MOSFET at 30 V
• 唯一的Power-SO8设备额定温度175°C
• 唯一的Power-SO8封装汽车额定AEC - Q101
• LFPAK额定I(D(MAX))高达100 A
• 雪崩额定
• 通过无铅认证和无卤
• 完全兼容视觉检测机(不像许多Power-SO8替代品需要x射线检测)