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摘要： Nexperia的60 V, n沟道沟槽mosfet具有2 kV HBM静电放电(ESD)保护
Nexperia公司的BSN20BKR是一个n沟道，增强模式场效应晶体管(FET)，在一个小型SOT23 (TO-236AB)，表面安装器件(SMD)，塑料封装使用沟槽MOSFET技术。
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