可用于无铅超小DFN1006BD-2贴片封装，侧面可湿。

Nexperia的NextPower mosfet在功率开关应用中具有高效率

Nexperia LFPAK88 Trench 9 汽车MOSFET通过以创新的8mm x 8mm占板面积提供业界领先的功率密度，从而替代了D2PAK。这些MOSFET的连续电流额定值高2倍，具有出色的热性能和可靠性，并且空间效率高达60％。

Nexperia的TrEOS为USB3提供不妥协的ESD保护。x, HDMI 2。x和Universal Flash。Nexperia的TrEOS单线ESD保护提供了低电容、低夹紧电压和高ESD健壮性的组合，帮助保护10 Gbps+数据线系统。

Nexperia的TL431是精密分流稳压器的首选产品

Nexperia的74AHC1G42xx系列分频器具有多种输出功能，减少了占地面积

Nexperia的PMV50XP, 20 V, p沟道沟槽mosfet提供了增强的功率耗散能力为1096 mW

Nexperia宣布了一系列新的GaN FET器件，这些器件均采用TO-247和该公司专有的CCPAK表面贴装封装中的下一代高压GaN HEMT H2技术。器件采用共源共栅配置，可实现出色的开关FOM和通态性能，并具有更高的稳定性，并简化了应用程序设计，从而无需复杂的驱动器和控件。

Nexperia的LV-A和LV-AT标准逻辑家族在TSSOP包

Nexperia的20 V, p沟道沟槽mosfet具有增强的功率耗散能力为890 mW

Nexperia的低功耗，双pcb可配置，多功能门提供了0.8 V到3.6 V的宽电源电压范围

Nexperia的双PCB可配置器件是一种多门、多功能逻辑器件，具有两个可配置门

Nexperia的高压双极晶体管适用于高达175°C的高温应用

Nexperia的抑制器可以满足5 V到26 V反向工作电压的单线保护需求

Nexperia的超低电容双轨静电放电(ESD)保护装置