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摘要： Nexperia的20 V, p沟道沟槽mosfet具有增强的功率耗散能力为890 mW
Nexperia提供了他们的p通道，增强模式场效应晶体管(FET)在一个小型SOT23 (TO-236AB)，表面安装的器件(SMD)，塑料封装使用沟槽MOSFET技术。
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