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NextPower 25 V和30 V mosfet

来源:HQBUY 发布时间:2021-01-20

摘要: Nexperia的NextPower mosfet在功率开关应用中具有高效率



Nexperia mosfet的NextPower系列提供了六个最重要的参数,为您最新的高效率和高可靠性设计提供了独特的平衡特性。多一点表现,少一点妥协。


许多竞争者只专注于优化R(DS(on))和Q(G)。当Q(G)变得更低时,由Q(OSS)和Q(GD)造成的损失变得更重要。NextPower使用超结技术在低R(DS(ON)),低Q(OSS),低Q(G(tot))和Q(GD)之间提供最佳的平衡,以提供最佳的开关性能。NextPower提供了卓越的SOA性能,低Q(OSS)减少了输出漏极和源极之间的损耗。NextPower还提供了极低的R(DS(ON)), sub 1 毫欧类型在25 V和30 V。


LFPAK封装提供坚固的电源开关紧凑的5毫米x 6毫米的足迹与其他power - so8供应商兼容。LFPAK独特的优点使其成为要求苛刻的应用或需要高可靠性的场合的最佳封装选择。它还允许目视检查,减少了昂贵的x射线设备来检测焊接缺陷的需要,这是常见的QFN风格的Power-SO8封装。


特性

  • 优化4.5 V栅极驱动电压
  • 低Q(OSS),减少漏极和源极之间的输出损耗
  • 低Q(GD),减少开关损耗和高频开关
  • 在轻负载和重负载条件下的最佳开关性能
  • 与其他沟道MOSFET供应商相比,卓越的“安全工作区域”性能

  • LFPAK软件包与其他供应商Power-SO8类型的兼容性
  • 工业最低R(DS(ON))电源- so8 - 25 V和30 V时小于1毫欧
  • 避免昂贵的x射线检查- LFPAK焊点可以光学检查
  • 额定电压20v的栅极比横向MOSFET类型提供更好的耐受电压瞬变
  • 高效率的功率开关应用
应用程序

  • 同步巴克监管机构
  • 直流-直流转换

  • 电压调整模块(VRM)
  • 权力打鼾
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