aec - q101合格的GaN FET

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-05

摘要： Transphorm的aec - q101合格的650 V GaN FET在175°C条件下提供

TP65H035WSQA采用Transphorm公司的JEDEC-qualified Gen III GaN平台建造，高压TP65H035WSQA在标准TO247封装中提供35 毫欧导通电阻，使其易于驾驶。这也是Transphorm公司第二个通过aec - q101认证的GaN器件，加入Transphorm的功率FETs家族，用于各种生产中的客户应用。对于这项最新的汽车认证，Transphorm强调FET的热限制为175°C，这比aec - q101合格的高压硅mosfet标准高出25°C。TP65H035WSQA是当今质量最高、可靠性最高(Q+R) GaN功率半导体产品之一。

终端市场

插电式混合动力汽车
电动汽车(BEVs)
广泛的工业

结束应用程序

交直流车载充电器(OBCs)
直流到直流转换器
直流到交流逆变器系统

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