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氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力,近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上,这个主题受到国内媒体的集体“围观”。富士通电子元器件高级市场经理蔡振宇(Eric)的“氮化镓产品主要的应用场景和未来的趋势”主题分享,将富士...
Transphorm公司的TP90H050WS结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术
Transphorm的aec - q101合格的650 V GaN FET在175°C条件下提供
Transphorm公司的TP65H035WS cascode GaN FET in TO-247提供卓越的可靠性和性能
Transphorm公司的4千瓦TDTTP4000W065AN在一个简单的设计中提供了超过99%的效率
Transphorm公司的TDTTP2500P100-KIT是一个2.5 kW的totem-pole功率因数校正(PFC) GaN评估板
Transphorm 4 kW TDTTP4000W065AN评估板专为最高4 kW的单相AC-DC电源转换而设计。该评估板使用具有传统模拟控制功能的无桥图腾柱功率因数校正(PFC)拓扑。
Transphorm公司的TDTTP4000W066C 4 kW评估板达到>99%的效率
Transphorm 4kW模拟无桥图腾柱功率因数校正(PFC)板(TDTTP4000W065AN)实现了非常高效的单相AC-DC转换。评估板旨在评估TP65H035G4WS MOSFET。
Transphorm公司的TDTTP4000W066B-KIT是一个4kw的totem-pole功率因数校正(PFC) GaN评估平台
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