TP65H035WS Cascode氮化镓(GaN)场效应管

来源：HQBUY 发布时间：2021-01-13

摘要： Transphorm公司的TP65H035WS cascode GaN FET in TO-247提供卓越的可靠性和性能

Transphorm公司的TP65H035WS 650 V, 35 毫欧GaN FET是一种常关器件。它结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术，提供卓越的可靠性和性能。

Transphorm的GaN通过更低的栅极电荷、更低的交叉损耗和更小的反向恢复电荷提高了硅的效率。

特性
JEDEC合格的GaN技术动态RDS(ON)eff)产品测试非常低的Q (RR) 减少交叉损失符合RoHS和无卤素包装		稳健设计，定义如下: 内在生命周期测试宽闸门安全裕度瞬态过电压的能力
应用程序
数据通信广泛的工业		光伏逆变器伺服电机

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JEDEC合格的GaN技术动态RDS(ON)eff)产品测试非常低的Q (RR) 减少交叉损失符合RoHS和无卤素包装		稳健设计，定义如下: 内在生命周期测试宽闸门安全裕度瞬态过电压的能力
应用程序
数据通信广泛的工业		光伏逆变器伺服电机