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TP90H050WS 900 V 50 毫欧GaN FET in TO-247

来源：HQBUY 发布时间：2021-02-25

摘要： Transphorm公司的TP90H050WS结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术

Transphorm公司的第二款900 V GaN FET, TP90H050WS，提供典型的导通电阻为50 毫欧，具有1千伏的瞬态峰值额定值。该设备通过JEDEC认证，并可在TO-247热鲁棒封装中使用。使用TP90H050WS的电力系统可以达到99%以上的效率，同时在典型的半桥配置下产生高达10 kW的功率，具有无桥标杆功率因数校正(PFC)。它适用于光伏逆变器、电池充电、不间断电源、照明、储能和三相电力系统等高压电力应用。

特性

JEDEC合格的GaN技术
动态R(DS(on)eff)产品测试
稳健设计，定义

内在生命周期测试
宽闸门安全裕度
瞬态过电压的能力

非常低的Q (RR)
减少交叉损失
符合RoHS和无卤素包装

好处

启用AC/DC无桥式图腾柱PFC设计

增加功率密度
减少系统的大小和重量
整体系统成本较低

提高了硬、软切换电路的效率
易于驾驶与常用门驱动器
GSD引脚布局改进了高速设计

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