摘要: Nexperia的55 V, n沟道沟槽mosfet具有静电放电(ESD)保护超过3 kV HBM
Nexperia提供了他们的n沟道,增强模式场效应晶体管(FET)在一个小型SOT23 (TO-236AB),表面安装的器件(SMD),塑料封装使用沟槽MOSFET技术。
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