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Renesas Electronics America

Renesas M1000 / MRAM M3000系列

来源：HQBUY 发布时间：2021-02-01

摘要： 瑞萨Renesas 的高速、高性能、非易失性MRAM提供卓越的可靠性

瑞萨Renesas 的MRAM系列高速、高性能108 MHz非易失性RAM提供卓越的可靠性和超过20年的数据保留。与非易失性SRAM相比，它不需要备用电池或电容器。M30xx支持quad SPI SDR和DDR接口，工作范围从-40°C到+105°C(工业+版本)，并可在SOIC或WSON封装。MRAM设备是高速，非易失性存储器应用程序如程序存储和数据备份的理想选择。

特性

非易失性内存
高耐久性:10E16循环
长期保存数据:20年
快速读写，无需等待写入
数据保护与硬件保护模式(HPM)，用户可编程/可锁定的特殊NVM，和软件保护模式(SPM)
不需要电池备份
采用先进的pMTJ STT-MRAM技术

内存密度:4 Mb到16 Mb
高速Quad SPI接口，高达108 MHz SDR模式
最低有效读写电流
独立的256字节用户可编程和可锁定的NVM
工业工作温度:-40°C至+105°C
电源电压:1.8 V、3 V
封装:8引脚SOIC和8焊盘WSON

应用程序

工业控制及自动化
医疗设备
穿戴

网络系统
存储/突袭
汽车

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