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半导体NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-07

摘要： 在半导体上，NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管设计用于保护高速数据线免受ESD以及对汽车电池的短路情况。这些二极管具有超低电容和低ESD箝位电压。当低R(DS(on)) FET限制信号线上的失真时，NIV1x二极管是保护电压敏感高速数...

在半导体上，NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管设计用于保护高速数据线免受ESD以及对汽车电池的短路情况。这些二极管具有超低电容和低ESD箝位电压。当低R(DS(on)) FET限制信号线上的失真时，NIV1x二极管是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。这些二极管包括短路到电池阻塞和短路到usb V(总线)阻塞集成mosfet。NIV1x ESD suppressor工作在-55°C到150°C的温度范围内，30V漏极到源电压，±10V门极到源电压。这些二极管是理想的使用汽车高速信号对，USB 2.0，和低压差分信号(LVDS)。

特性

低电容
集成场效应管:
- 短路电池阻塞
- 短到USB V(总线)阻塞
可湿式侧翼优化自动光学检测装置(AOI)

合格，PPAP能力强
不含Pb、卤素/BFR，符合RoHS要求
NIV前缀汽车和其他应用程序，需要独特的现场和控制变化的要求

规范

NIV1161x:
- 0.65 pf电容
- 反向工作电压16V
- 1μA反向漏电流
NIV1241:
- 0.66 pf电容
- 23.5V反向工作电压
- 0.5μA反向漏电流

工作和存储温度范围为-55℃~ 150℃
30V漏极到源极电压
±10V门源电压

应用程序

汽车高速信号对
USB 2.0
LVDS

位置回路

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