罗姆半导体RSDT27NS瞬变电压抑制器是一个单向电压抑制器,保护敏感的电子设备免受激增低于3600 w (t (p) = 10/1000µs)。该电压抑制器具有高可靠性和高过流能力。RSDT27NS是一个3端子的功率模型电压抑制器。该电压抑制器提供5W功耗(P(D))和22V最大反向电压(V(RWM))。RSDT27NS电压抑制器适用于防雷。

特性

• 单向电压抑制器

• 权力模具类型

• 高可靠性

• 带有3个终端

• 硅外延平面结构

规范

• 防止激增低于3600 w (t (p) = 10/1000µs)

• 5W功耗(P(D))

• - 263 s (D (2) PAK)包

• 22V反向电压V(RWM)(最大值)

• 10µ反向电流(I (R)) V (R) = 22

• 工作温度范围:-55°C ~ 150°C

内部线路图

性能图表