Alliance Memory P30微米并行NOR闪存嵌入内存在更小的空间提供更大的密度，高速接口设备，并支持代码和数据存储。这些存储设备具有高性能的同步突发读模式、快速的异步访问时间、低功耗、灵活的安全选项和三种行业标准包选择。p30nor闪存嵌入式存储器设备在16位数据总线上的低电压下提供高性能。单个可擦存储器块的大小是为了最佳的代码和数据存储。这些存储设备的安全特性包括64位OTP一次性可编程寄存器，由来自微米的唯一信息编程。P30 NOR闪存嵌入式内存设备是符合JESD47标准的，可提供56导TSOP (512Mb, 1Gb)和64球Easy BGA包(512Mb, 1Gb, 2Gb)。

特性

• 高性能

• 简单的BGA包功能:

• 100ns初始访问512Mb和1Gb Easy BGA

• 105ns初始访问2Gb Easy BGA

• 25ns 16字异步页面读取模式

• 52MHz (Easy BGA)，零等待状态和17ns时钟到数据输出同步突发读模式

• 4-， 8-， 16-，和连续字选项突发模式

• TSOP方案特点:

• 110ns初始访问512Mb和1Gb TSOP

• 简单的BGA和TSOP包功能:

• 使用512字的缓冲区，以每秒2MB(典型)的速度缓冲增强工厂编程(BEFP)

• 使用512字的缓冲区，以1.46MB/s(典型)的1.8V缓冲编程

• 架构:

• 最高密度MLC最低成本

• 对称阻塞架构(512Mb、1Gb、2Gb)

• 非对称阻塞架构(512Mb和1Gb)

• 四个32KB的参数块(顶部或底部配置)

• 128 kb主要街区

• 空白检查以验证已擦除的块

• 顶部引导和底部引导块配置

• 16位宽数据总线

• 安全:

• 64位OTP位，用Micron的独特信息编程;2112 OTP位可用于客户编程

• 一次性可编程寄存器:

• V(PP) = V(SS)绝对写保护

• 权力过渡擦除/项目停摆

• 单个零延迟块锁定

• 个体块小看

• 密码访问

• 软件:

• 25μs(典型)程序暂停

• 25μs(典型)erase挂起

• 闪存数据集成器优化

• 基本命令集和扩展功能接口(EFI)命令集兼容

• 常见的flash界面

• 密度和包装:

• 56导TSOP封装(512Mb和1Gb)

• 64球Easy BGA包(512Mb, 1Gb, 2Gb)

规范

• 电压和功率:

• 1.7V ~ 2V V(芯)电压

• 1.7V ~ 3.6V V(CCQ) (I/O)电压

• 70µ(典型值)512 mb和75µ1 gb的(典型的)待机电流

• 52MHz连续同步读电流:

• 21mA(典型)及24mA(最大)

• 质量和可靠性:

• JESD47兼容

• 工作温度范围:-40°C ~ 85°C

• 每个块至少10万个擦除周期

• 65纳米工艺

简单的BGA框图