Alliance Memory P33微米并行NOR闪存嵌入式存储设备在更小的空间提供更大的密度，高速接口设备，并支持代码和数据存储。这些存储设备具有高性能的同步突发读模式、快速的异步访问时间、低功耗、灵活的安全选项和三种行业标准包选择。P33闪存器件采用微米65nm工艺技术制造，并在16位数据总线上提供低电压下的高性能。这些内存设备默认为在初始加电或从复位返回时异步页模式读取，并配置read配置寄存器使同步突发模式读取成为可能。在同步突发模式下，输出数据与用户提供的时钟信号同步。

P33存储设备结合技术，使快速工厂程序和擦除操作。这些存储设备支持VCC在低电压下的读操作和ERASE操作，以及VPPH在低电压下的VPP的程序操作。P33内存设备由工业标准的命令序列组成，调用程序和擦除自动化。每次擦除操作都会擦除一个块。这些内存设备包括通过密码访问增强的保护，支持用户定义块的写和/或读访问保护。P33内存设备还提供全设备OTP安全特性。

特性

• 高性能

• 简单的BGA包功能:

• 95ns初始访问512Mb, 1Gb Easy BGA

• 100ns初始访问2Gb Easy BGA

• 25ns 16字异步页面读取模式

• 52MHz (Easy BGA)，零等待状态和17ns时钟到数据输出同步突发读模式

• 4-， 8-， 16-，和连续字选项突发模式

• TSOP方案特点:

• 105ns初始访问512Mb, 1Gb TSOP

• 简单的BGA和TSOP包功能:

• 使用512字的缓冲区，以2MB/s (TYP)的速度缓冲增强工厂编程(BEFP)

• 使用512字的缓冲区，以1.46MB/s的速度进行3V缓冲编程

• 架构:

• 最高密度MLC最低成本

• 对称阻塞架构(512Mb、1Gb、2Gb)

• 非对称阻塞架构(512Mb, 1Gb);四个32KB的参数块:顶部或底部配置

• 128 kb主要街区

• 空白检查以验证已擦除的块

• 安全:

• 64位OTP位可编程的独特信息来自微米和2112位OTP位可用于客户编程

• 一次性可编程寄存器:

• V(PP) = V(SS)绝对写保护

• 权力过渡擦除/项目停摆

• 单个零延迟块锁定

• 个体块小看

• 密码访问

• 底部引导块配置

• 软件:

• 25μs(典型)程序暂停

• 25μs(典型)erase挂起

• 闪存数据集成器优化

• 基本命令集和扩展功能接口(EFI)命令集兼容

• 常见的flash界面

• 密度和包装:

• 56导TSOP封装(512Mb, 1Gb)

• 64球Easy BGA包(512Mb, 1Gb, 2Gb)

• 16位宽数据总线

规范

• 电压和功率:

• 2.3V ~ 3.6V V(CC)(芯线)

• 2.3V ~ 3.6V V(CCQ) (I/O)电压

• 70µ为512 mb(典型的);75µ1 gb的(典型的)待机电流

• 21mA(典型)，24mA(最大)连续同步读取电流@ 52MHz

• 质量和可靠性:

• JESD47兼容

• 工作温度范围:-40°C ~ 85°C

• 每个块至少10万个擦除周期

• 65纳米工艺

简单的BGA框图