摘要: NXP Semiconductors MRFX035H参考电路设计用于MRFX035H 65V RF LDMOS晶体管的快速评估和原型制作。MRFX035H 65V RF LDMOS晶体管设计用于高驻波比工业、医疗、广播、航空航天和移动无线...
NXP Semiconductors MRFX035H参考电路设计用于MRFX035H 65V RF LDMOS晶体管的快速评估和原型制作。MRFX035H 65V RF LDMOS晶体管设计用于高驻波比工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其输入输出设计支持1.8 ~ 512MHz频率使用。
MRFX035H 65V RF LDMOS晶体管
最高可达65V(DD)运行
特点为30V ~ 65V,可扩展功率范围
50欧姆本地输出阻抗
高击穿电压,提高可靠性
适用于线性应用,有适当的偏置
集成ESD保护,具有更大的负栅源电压范围,改善了C类操作
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