Anvo-Systems Dresden ANV22AA8并行nvSRAM是一个1Mb的SRAM，每个存储单元包含一个非易失性SONOS存储元素，组织为每个8位128k字。ANV22AA8 nvSRAM提供两种独立的工作模式，SRAM模式和非易失性模式。在SRAM模式下，存储器的工作方式与普通静态RAM一样。在非易失性操作模式下，数据是并行地从SRAM传输到SONOS元素(存储)或从所有的SONOS元素传输到SRAM(收回)。在非易失模式下，SRAM功能被关闭。

SRAM可以被无限次读写，而独立的非易失性数据驻留在SONOS元素中。SRAM到SONOS元件的数据传输在断电或停电的情况下(POWERSTORE)自动进行，使用存储在一个小型外部电容中的电荷。

从SONOS元素到SRAM(召回)的传输在通电时自动发生，或者在软件序列的用户控制下启动。在内部，召回是一个两步程序。首先，SRAM数据被清除，其次，非易失性信息被转移到SRAM单元中。存储周期也可以在用户控制下由一个软件序列或一个单引脚(HSB)启动。一旦存储周期被启动，进一步的输入或输出将被禁用，直到该周期完成。

PowerStore功能的启用和禁用也可以根据软件顺序进行。通过Read Last Successful Written Address，可以读出最后一次写入成功的数据的3字节地址。

特性

• 高性能1Mb非易失性SRAM

• 25 ns访问时间

• 10ns Output使能访问时间

• I(CC) = 10mA typ。在25 ns的周期时间

• I(CC) = 2mA typ。在250纳秒的周期时间

• 读上次成功的书面地址

• 无限的读/写的耐力

• 自动非易失性存储在断电或停电(POWERSTORE)

• 软序列或硬件(HSB)控制下的非易失性存储

• 开机或熄灯后自动召回SRAM

• 无限的回忆周期

• 100 k存储周期

• 100年的非易失性数据保留

• 2.7V ~ 3.6V电源

• 工业和工业温度

• 包装:6mm x 8mm BGA-48

• 通过无铅认证

应用程序

• 工业

• 汽车

• 智能计量和智能电网

• 数据记录

框图