安森美半导体NCP81075双MOSFET门驱动设计用于驱动同步降压变换器的高侧和低侧功率MOSFET门。NCP81075集成了驱动IC和片上自举二极管，消除了外部离散二极管的需要。一个高浮动顶部驱动器设计容纳HB电压高达180V。低端和高端独立控制，相互匹配4ns的开启和关闭。高侧和低侧驱动器提供独立欠压锁定，当驱动电压低于指定阈值时，强制输出较低。NCP81075提供了SOIC-8、DFN8和WDFN10软件包，以提高设计灵活性，且无Pb-、无卤/无BFR，并符合RoHS要求。

特性

• 驱动两个n沟道mosfet在高侧和低侧

• 用于高侧栅驱动的集成自举二极管

• 自举供电电压范围高达180V

• 4A源，4A sink输出电流能力

• 驱动1nF负载，典型的升降时间为8ns/7ns

• 宽8.5V至20V供电电压范围

• 快速20ns传播延迟时间(典型)

• 2ns延迟匹配(典型)

• 1000pF负载下8ns上升/ 7ns下降次数

• 开关频率可达1MHz

• 驱动电压欠压锁定(UVLO)保护

• 工作结温度范围-40°C至140°C

• 软件包选项:SOIC-8, DFN8, WDFN10

• Pb-免费

• 无卤素/ BFR自由

• 通过无铅认证

应用程序

• 巴克转换器

• 电信和数据

• 隔离电源

• D类音频放大器

• 两个开关和有源箝位正激变换器

• 太阳能优化器

程序图