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德州仪器LM5060-Q1高侧保护控制器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-13

摘要： 德州仪器LM5060-Q1高侧保护控制器与低静态电流提供智能控制高侧n通道MOSFET在正常开/关过渡和故障条件。励磁涌流控制使输出电压上升时间几乎恒定。提供输入UVLO(带有滞后)和可编程输入OVP，并提供远程开或关控制的使能输入。初始启...

德州仪器LM5060-Q1高侧保护控制器与低静态电流提供智能控制高侧n通道MOSFET在正常开/关过渡和故障条件。励磁涌流控制使输出电压上升时间几乎恒定。提供输入UVLO(带有滞后)和可编程输入OVP，并提供远程开或关控制的使能输入。初始启动V (GS)故障检测延迟时间，过渡V (DS)故障检测延时时间，以及连续过流V (DS)故障检测延迟时间从一个单一的电容器编程。当检测到的故障状态持续时间超过允许的故障延迟时间时，MOSFET被锁住，直到使能输入或UVLO输入被切换到低电平，然后再切换到高电平。

特性

可用于汽车等级/AEC Q-100
宽工作输入电压范围:5.5V ~ 65V
不到15µ残疾的静态电流模式
控制电容性负载安全连接的输出上升时间
过压停机后立即重新启动
外n通道MOSFET的电荷泵栅驱动器
带有滞后的可调欠压锁定(UVLO)

UVLO作为需要安全冗余的系统的第二启用输入
可编程故障检测延迟时间
检测到负载故障后，MOSFET闩锁关闭
有功低漏功率良好(nPGD)输出
可调输入过电压保护(OVP)
10-Lead VSSOP

应用程序

汽车车身电子产品
工业配电与控制

框图

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