安森美半导体 NTD360N80S3Z superet III MOSFET被优化为反激变换器的一次开关，能够实现更低的开关损耗和外壳温度。该MOSFET集成了一个内部齐纳二极管，提高了ESD的能力。NTD360N80S3Z MOSFET具有800V漏极到源极电压(V(DSS))， 360毫欧最大漏极到源极电阻R(DS(on))和13A最大漏极电流(I(D))。典型的应用包括适配器/充电器、LED照明、辅助电源、音频和工业电源。

特性

• 低开关损耗

• 效率高

• EMI性能好

• 改进了内部齐纳二极管的ESD能力

• 360欧姆最大R (DS(上))

• 800 V V (DSS)

• 13I马(D)

• nc典型超低栅电荷(Q(g))

• 2.72µJ在400 v低能量存储在输出电容(E (oss))

应用程序

• 适配器/充电器

• LED照明

• 辅助电源

• 音频

• 工业强国

性能图表