安森美半导体 NTBS9D0N10MC单n通道MOSFET提供低漏源通电阻R(DS(ON))，最大限度地减少传导损耗。该MOSFET提供低总栅电荷(Q(G))和电容，最大限度地减少驱动器损耗。NTBS9D0N10MC MOSFET降低开关噪声/电磁干扰(EMI)。该MOSFET具有100V漏极到源极电压(V(DSS))和60A最大连续漏极电流(I(D))。典型的应用包括电动工具，电池操作的真空吸尘器，无人机(UAV)/无人机，材料处理，电池管理系统(BMS)/存储，和家庭自动化。

特性

• 低R(DS(on))以减少传导损耗:

• 9米欧姆(最大)R(DS(on))在10V

• 优化切换性能

• 低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗

• 降低开关噪声/ EMI

• 60I(D) (max)

• 100 V V (DSS)

应用程序

• 电动工具

• 电池驱动的真空吸尘器

• 无人机/无人驾驶飞机

• 材料处理

• BMS /存储

• 家庭自动化

性能图表