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GaN Systems GS6100x 100V E-HEMT晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-03

摘要： GaN Systems GS6100x 100V E-HEMT晶体管是增强模式GaN-on- silicon功率器件。这些晶体管具有GaN的特性，提供高电流、高电压击穿和非常高的开关频率。GS6100x晶体管采用Island Technol...

GaN Systems GS6100x 100V E-HEMT晶体管是增强模式GaN-on- silicon功率器件。这些晶体管具有GaN的特性，提供高电流、高电压击穿和非常高的开关频率。GS6100x晶体管采用Island Technology 电池布局，提供高电流模和高产量。它们还具有GaNPX 封装，在小封装中提供低电导和低热阻。GS6100x晶体管为高功率应用提供非常低的结-壳热阻。所有这些特性结合起来提供了非常高效的电源开关。

特性

100V增强型功率晶体管
超低FOM Island技术
低电感GaNPX包
快速和可控的下跌和上涨时间
逆向传导能力
底部和顶部冷却配置

零反向恢复损失
0V到6V栅驱动范围
-20V到10V瞬态容错栅极驱动范围
甚高频开关频率
7毫欧至16毫欧RDS(ON)
90A至38A IDS(ON)

应用程序

不间断电源(UPS)
工业马达驱动器
机器人
无线电力传输
电池快速充电

D类放大器
能量存储系统
AC/DC转换器(二次侧)
牵引驱动

资源

GaN增强模式HEMTs的介绍
GaNPX封装设备的热设计
高速氮化镓电子hemt的测量技术
并联氮化镓HEMT的设计考虑
GaN增强模式功率晶体管的PCB热设计指南
GaN HEMT使用指南香料模型&例子
使用RC热SPICE模型对GaNPX包的热行为进行建模
使用LTSpice模拟GaN开关损耗

考虑氮化镓电子hemt的PCB布局
GaN Systems的GaN晶体管EZDrive功率级解决方案
GaNPX包装设备的焊接建议
GaN电子hemts栅极驱动电路设计
使用MOSFET控制器驱动GaN电子hemt
电动汽车的GaN技术
为什么GaN e - hemt是电源设计师的晶体管选择
开始干吧

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