p -通道功率MOSFET具有-30V (V(DSS))， -96A (I(D))， 50W，超低3.8毫欧@-10V R(DS(ON))，提高系统效率。该MOSFET采用3.3mm×3.3mm PQFN8封装的先进封装技术，节省空间和优良的导热性。此外，PQFN8包不含铅、无卤素/无bfr，并符合RoHS要求。NTTFS008P03P8Z MOSFET典型适用于应用程序，如电力负载开关，电池管理笔记本电脑，平板电脑，智能手机，无人机，电源供应，和无线充电。

特性

• 超低R(DS(on))，提高系统效率

• 先进封装技术在3.3毫米x 3.3毫米PQFN8封装

• 节省空间和改善导热

• 无卤素，无BFR，符合RoHS要求

• 免费的包装是可用的

应用程序

• 电力负荷开关

• 保护(反向电流、过压、反向负压)

• 电池管理

• 笔记本电脑、平板电脑、智能手机和无人机

• 直流风扇、电源、USB PD适配器、无线充电