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东芝GT20N135SRA硅n通道IGBT的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-11-05

摘要: 东芝GT20N135SRA硅n通道IGBT是第6.5代IGBT,由集成在IGBT芯片中的自由二极管(FWD)组成。这IGBT的特点是低饱和电压为1.60 v和运营175°C的最大结温高、0.25µ年代的高速切换。GT20N135SRA硅n通...


    东芝GT20N135SRA硅n通道IGBT是第6.5代IGBT,由集成在IGBT芯片中的自由二极管(FWD)组成。这IGBT的特点是低饱和电压为1.60 v和运营175°C的最大结温高、0.25µ年代的高速切换。GT20N135SRA硅n通道IGBT是电压谐振逆变器开关,软开关,感应灶台和家电应用的理想选择。


    特性

    • 6.5一代

    • 增强型

    • 自由二极管(FWD)单片集成在IGBT芯片


    规范

    • 高速开关:

      • IGBT t (f) = 0.25µs(典型的)

    • 低饱和压:

      • V (CE(坐))= 1.60(典型的)

      • I(C) = 20

      • T (a) = 25°C

    • 高结温:

      • T (j) = 175°C (max)


    应用程序

    • Voltage-resonant逆变器开关

    • 软切换

    • 电磁炉和家用电器


    包的尺寸


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