IXYS IX4351NE 9A低侧SiC MOSFET & IGBT驱动的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-13

摘要： 产品编号:IXYS Integrated Circuits IX4351NE;IGBT驱动器具有独立的9A源和汇聚输出，允许自定义开/关时序，同时最大限度地减少开关损耗。IX4351NE提供内部负电荷调节器，提供可选择的负极门驱动偏置，改善...

产品编号:IXYS Integrated Circuits IX4351NE;IGBT驱动器具有独立的9A源和汇聚输出，允许自定义开/关时序，同时最大限度地减少开关损耗。IX4351NE提供内部负电荷调节器，提供可选择的负极门驱动偏置，改善dV/dt免疫力和更快的关闭。

去饱和检测电路通过检测SiC MOSFET的过流状态并启动软关断来防止潜在的dV/dt事件。逻辑输入是TTL和CMOS兼容的;这个输入即使在负栅驱动偏置电压下也不需要电平移位。保护功能包括UVLO和热关闭检测。

IX4351NE采用热增强16针电源SOIC封装，额定工作温度范围为-40°C至+125°C。

特性

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