ON Semiconductor安森美双n通道80V汽车功率MOSFET采用5mm x 6mm扁平引线封装，非常适合紧凑和高效的设计。80V器件的R为6.9毫欧 (DS(on))(漏极-源极通电阻)，以减少导电损耗。MOSFET包括可湿式侧翼选项，可用于增强光学检查。该设备还具有aec - q101资格和ppap能力，使它们适合汽车应用。

特性

• 6.9毫欧R(DS(on))(漏源电阻)

• 5mm x 6mm扁平引线紧凑设计

• SMD / SMT装配的风格

• 74A连续漏极电流

• 20 V V (g) (gate-source)

• 2V V(GS) th(栅源阈值)

• 80V V(DS)(漏源击穿)

• 32nC Q(g)(门电荷)

• 90W, 3.1W PD(功耗)

• 22 ns下降时间

• 34 ns上升时间

• 52ns(类型)关闭延迟

• 15ns(类型)开机延迟

• 原子能委员会-Q101-qualified PPAP-capable

• 通过无铅认证

• 工作温度范围:-55°C ~ +175°C

应用程序

• 换向器电池保护

• 开关电源

• 电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥等)

• ABS电磁驱动，燃油喷射

• 电机控制EPS，雨刷，风扇，座椅等。

• ECU，底盘，车身负载开关