ON半导体n通道40V & 60V汽车功率场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-12

摘要： ON Semiconductor NVMFSCx汽车电源40V和60V mosfet可采用5mm x 6mm双面冷却封装，非常适合紧凑和高效的设计。单n通道器件具有1.5毫欧和0.9毫欧R (DS(on))(漏极-源极通电阻)，以减少导电损...

ON Semiconductor NVMFSCx汽车电源40V和60V mosfet可采用5mm x 6mm双面冷却封装，非常适合紧凑和高效的设计。单n通道器件具有1.5毫欧和0.9毫欧R (DS(on))(漏极-源极通电阻)，以减少导电损耗。mosfet包括一个可湿的侧翼选项，可用于增强光学检查。该设备还具有aec - q101认证和ppap能力，使其适用于汽车应用。

特性

5mm x 6mm双面冷却包
SMD / SMT装配的风格
20 v vg (gate-source)
166W PD(功耗)

AEC-Q101-qualified和PPAP-capable
通过无铅认证
工作温度范围:-55°C ~ +175°C

规范

NVMFSC0D9N04CL
- 0.9毫欧R(DS(on))(漏源电阻)
- 40V V(DS)(漏源击穿)
- 316A I(D)(连续漏极电流)
- 3.5V V(GS) th(栅源阈值)
- 86nC Q(g)(闸费)
- 170 ns下降时间
- 160 ns上升时间
- 220ns(类型)关闭延迟
- 54ns(类型)开机延时

NVMFSC1D6N06CL
- 1.5毫欧R(DS(on))(漏源电阻)
- 60V V(DS)(漏源击穿)
- 224A I(D)(连续漏极电流)
- 2V V(GS) th(栅源阈值)
- 41nC Q(g)(闸费)
- 14.1 ns下降时间
- 55.6 ns上升时间
- 47.5ns(类型)关闭延迟
- 14.5ns(类型)开机延迟

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