ON半导体NTMJS1D5N04CL 40V工业功率MOSFET的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > ON半导体NTMJS1D5N04CL 40V工业功率MOSFET的介绍、特性、及应用

Semiconductors

ON半导体NTMJS1D5N04CL 40V工业功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-12

摘要： ON Semiconductor NTMJS1D5N04CL 40V Industrial Power MOSFET具有小的5mm×6mm占地面积，低R (DS(on))，低门电荷(Q (G))和低电容。较低的R (DS(on))值有助于降...

ON Semiconductor NTMJS1D5N04CL 40V Industrial Power MOSFET具有小的5mm×6mm占地面积，低R (DS(on))，低门电荷(Q (G))和低电容。较低的R (DS(on))值有助于降低低Q时的传导损耗 (G)和低电容使驱动器损耗最小化。这个单n通道功率MOSFET是无Pb，符合RoHS，并具有-55°C到175°C的工作温度范围。

特性

低R(DS(on))以减少传导损耗
- 1.4欧姆@ 10 v
- 2.2欧姆@ 4.5 v
连续排水(I(D)):最大200A
漏源极电压(V(DSS)): 40V
门源电压(V(GS)):±20V
体二极管源电流(I(S)): 120A
低总栅极电荷(Q(G(TOT))): 32nC

输入电容(C(ISS)): 4300pF
输出电容(C(OSS)): 1900pF
反向恢复时间(t(RR)): 61ns
充电时间(t(a)) 29ns
放电时间(t(D)): 32ns
工作结温度(T(J)): -55°C至+175°C
包装类型:LFPAK-8
不含Pb，符合RoHS要求

应用程序

开关式电源
太阳能逆变器
不间断电源

感应加热设备
马达驱动器
风能转换器

内部原理图

包的尺寸

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：ON半导体n通道40V & 60V汽车功率场效应晶体管的介绍、特性、及应用

下一篇：MAX20047EVKIT集成评估套件的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308